SJT 11004-1996 半导体电视集成电路图像通道电路测试方法的基本原理
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ID： |
B174BD1C33604878BC4947AACBDFC2D3 |
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文件大小(MB)： |
0.99 |
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页数： |
19 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国国家标准,GB 9612 —88,降为 SJ/T 11004-96,半导体电视集成电路,测试方法的基本原理,General principles of measuring methods,for semiconductor TV integrated circuits,1988-06-29 发布,画东林准局 发布,中华人民共和氏1■副家标准,半导体电视集成电路图象通道电路,测试方法的基本原理,GB 9612—88,General principles of measuring methods,of picture channel circuit,for semiconductor TV integrated circuits,本标准规定了半导体电视集成电路图象通道电路（以下简称器件）电参数测试方法的基本原理,1总的要求,U 若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离现定值的范围应符合器件详细规范的规定〇,1.2 测试期间,应避免外界干扰对!8试精度的影响,测试设备期起的测试误差应符合器件详细规范的,规定,1.3 测试期间,施于被测器件的电源电压的误差風在规定值的±1例以内,电源内阻在讯号频率下应基,本为零。施于被测器件的其它电参量的精度应符合器件详细规范的規定,1.4,1.5,1.6,1.7,被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用极限条件,测试期间,被测器件应连接器件详细规范规定的辅助电路或补偿电路,测试期间,应无寄生振荡,若电参数值是由几步测成经计算而确定时,这些测试的时间间隔应尽可能短,2参数测试,?I 静蔻电施/CCG,2.1.1 目的,测中频输入端对地交流短路时,经电源端流入器件的电菰,2.1.2 测试原理图,厶co的测试原理图如图1所示,图1,2.1.3 测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,"环境温度§,ャ华人民共和就电子工业部1988T）3 - 21批准19的-02-01实施,1,GB 9612—88,-kA- nサ?,2,2,2,2,2,2,b.电源电压,1.4测试程序,1.4.1在规定的环境温度下,将被测器件接入测试系统中.,1.4.2 电源端施加规定的电压,1.4.3 在电源端读取ム8〇,2视强输出亶流电压ア,2.I目的,OVF,测中频输入端对地交流短路时,视频输出端的直流电压,2.2.2测试原理图,叭丒仃的测试原理图如图2所示,图2,2.2.3测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a.环境丒后,b.电源电压0,2.2.4测试程序,2.2.4.1在规定的环境温度下,将被測器件接入測试系统中.,2.2.4.2电源端施加规定的电压,2.2.4.3在视频输出端读取アOVFo,2.3 AFT （自动强率微丒）亶流输出电压ヘんゴ1,ヘハh,2.3.1 目的,测中频输入端对地交流短路时,AFT输出端的直流电压.,2.3.2 测试原理图,和Poaftz的测试原理图如图3所示,图3,2,GB 961L88,2.3.3 测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,3环境温度,b.电源电压,2.3.4 测试程序,2.3.4.1 在规定的环境温度下,将被测器件接入测试系统中,2.3.4.2 电源端施加规定的电压,2.3.4.3 在AFT输出端分别读取へバ口和匕）Atm,AFT输出偏移电压T,2.4.I目的,测中频输入端对地交流短路时,AFT两输出端间的直流电压差.,2.4.2测试原理图,△Poawt的测试原理图如图4所示“,I"""I,2.4.3测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,环境温度,b.电源电压,2,2,2,2,2,2,4.4测试程序,4.4.1 在规定的环境温度下,将被测器件接入测试系统中,4.4.2 电源端施加规定的电压,4.4.3 在两个AFT输出端间读取A7 OAFTo,5射频AGC （自动增益控制）残余输出电压ア,5.1目的,OAGCR,测中频输入端对地交流短路时，射频AGC输出端的最小电压,2.5.2测试原理图,フOAGCR的测试原理图如图5所示,CB .612-88,图5,2.吼3测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,ヘ环境温丒二,瓦电源电压,c. 中频AGC偏置电压,d.射撅AGC输出端串联电阻q,2.5,2.5,2.5,2.5,2.5,2.6,4测试程序,在规定的环境温度下,将被测器件接入测试系统中.,电源端施加规定的电压,将中频AGC控制端的偏置电压アagc调到规定值,在射频AGC输出端读取アqagcr,射频AGC?电潼エLAGC,2.6.I目的,测射频AGC输出晶体管处于截止状态时,流过射频AGC输出端的直流电流,2.6.2 测试原理图,Ilagc的测试原理图如图6所示,フん34 . 8W 4 3^ 甲 .. id—mnnniBM-*!_,图6,2.6.3 测试条件,测试期间,下列测试条件应符合器件详细规范的规定,a. 环境温度,b.电源电压S,C,中频AGC偏置电压,4,GB 9612—88,丸射频AGC输出端串联电阻,2.6.4测试程序,2.6.4J 在规定的环境温度下,将被测器件接入恻试系统中,2.6.4.2 电源端施加规定的电压,2.6.4.3 将中频AGC控制端的偏置电压アagc调到规定值,使射频AGC输出晶体管处于截止状态,2.6.4.4 在射频AGC输出端读取んagc,2.T射嶽AGC最大电流ムgcm,2.7.I目的,测射频へGC输出晶体管处于饱和导通状态时.流过射频AGC输出端的直流电流.,2.7.2测试原理……
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